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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2064 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 100萬× 32位動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 44/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2064 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
43
17.2. CAS Latency = 3
Command
Bank B
Write
CBz
DBw0
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Z
Hi
RBz
RBz
Command
Bank B
DBw3
DBw1 DBw2
Write
Command
Bank B
DBx0
DBx1
CBx
Write
DBy1
DBy0
DBy2
Precharge
Command
Bank B
DBy3
CBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK3
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank B
DBz0
Activate
Command
Bank B
Write
DBz1
RBz
RBz
CBz
SPT03924
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2065 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2066 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2149 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2065 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2066 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2067 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2068 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2069 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
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