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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2086 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 8M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 8米× 72位動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 22/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2086 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2096 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2098 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2099 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2100 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| Q67100-Q2116 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2096 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2098 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2099 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2100 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| Q67100-Q2116 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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