參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q2099
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
中文描述： 8米× 32位江戶(hù)記憶體模組
文件頁(yè)數(shù)： 23/53頁(yè)
文件大?。?/td> 418K
代理商： Q67100-Q2099
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
RC
"H" or "L"
t
T0
(CAS latency = 3)
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Address
Command
CLK
T
NOP
NOP
RCD
t
T1
Col. Addr.
Bank B
Write B
Precharge
T
SPT03784
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Row Addr.
Bank A
Activate
Bank A
T
NOP
RRD
t
T
T
SPT03712
CLK
Read A
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A3
CK2
latency = 2
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
DOUT A2
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A0 DOUT A1
DOUT A3
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2100 256k x 16-Bit EDO-DRAM
Q67100-Q2116 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2118 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2120 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2122 1M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q67100-Q2100 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM
Q67100-Q2116 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2118 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2120 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2122 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
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