參數(shù)資料
型號(hào): Q67100-Q2100
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256k x 16-Bit EDO-DRAM
中文描述: 256k x 16位江戶的DRAM
文件頁數(shù): 38/53頁
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q2100
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
37
13. Power Down Mode and Clock Suspend
BS
Clock Suspend
Mode Exit
Clock Suspend
Mode Entry
Addr.
DQM
DQ
AP
Standby
Active
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Read
Command
Bank A
RAx
RAx
CAx
Power Down
Mode Entry
Power Down
Mode Exit
SPT03918
End
Clock Mask
Clock Mask
Start
Ax0
Ax1
Ax2
Precharge
Command
Bank A
Ax3
t
HZ
Precharge
Standby
Any
Command
T7
CAS
WE
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
CKS
t
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
CKS
t
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2116 1M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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Q67100-Q2122 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2124 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM