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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2149 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 39/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2149 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
38
14. Self Refresh (Entry and Exit)
BS
t
Self Refresh Exit
Command issued
Addr.
DQM
DQ
AP
Entry
Self Refresh
must be idle
All Banks
Hi-Z
~
~
~
~
~
~
~
SPT03919
Exit Command
Begin Self Refresh
SREX
t
RC
Self Refresh
Exit
Command
Any
T7
CS
CAS
WE
RAS
CKE
CLK
~
~
~
~
~
~
~
~
t
CKS
T0
T1
T2
~
~
T3
T4
~
~
T6
T5
T16
CKS
t
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2156 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2178 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2178 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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