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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2156 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 32位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 37/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2156 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
36
12.4 Clock Suspension During Burst Write CAS Latency = 3
Clock
Suspend
2 Cycles
Bank A
DQMx
Addr.
DQ
A8/AP
BA
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Clock
Suspend
1 Cycle
Command
Write
DAx0
DAx1
RAx
RAx
CAx
Clock
Suspend
3 Cycles
DAx2
DAx3
SPT03917
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2157 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2178 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2179 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2178 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2179 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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