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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2179 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3V的100萬(wàn)個(gè)64位江戶內(nèi)存3.3V的100萬(wàn)× 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2179 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
46
19. Random Row Write (Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
DBx4
DAx1
BS
AP
Addr.
DQ
DQM
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Write
Command
Bank A
DAx0
RAx
RAx
RCD
t
CAx
Command
Bank A
Command
Bank B
Command
Bank B
DAx4
DAx2
DAx3
Activate
DAx5
DAx6
RBx
RBx
Command
Bank A
Precharge
Write
DBx0
DAx7
DBx1
Activate
DBx2
DBx3
WR
CBx
t
RP
t
RAy
RAy
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
T0
High
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank A
SPT03927
Command
Bank B
Precharge
DBx7
DBx5
DBx6
Write
DAy0
DAy1
CAy
WR
t
DAy4
DAy3
DAy2
T19
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2180 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2181 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2182 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2183 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2184 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2181 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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