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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2180 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 2米x 64位江戶內(nèi)存3.3V的200萬(wàn)× 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 46/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2180 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
45
18.2 CAS Latency = 3
Activate
Command
Bank A
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Read
Command
Bank B
Command
Bank B
Activate
Hi-Z
Bx1
Bx0
CBx
RBx
RCD
t
RBx
t
AC3
Activate
Command
Bank B
Bx6
Bank A
Command
Read
Bx4
Bx3
Bx2
Bx5
Bank B
Precharge
Command
Ax0
Bx7
Ax2
Ax1
RAx
CAx
RAx
RP
t
RBy
RBy
Precharge
Command
Bank A
Ax7
Read
Command
Bank B
Ax5
Ax4
Ax3
Ax6
SPT03926
By0
CBy
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
High
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2181 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2182 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2183 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2184 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2185 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2182 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2183 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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