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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2183 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 2米x 64位江戶內(nèi)存3.3V的200萬(wàn)× 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2183 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
43
17.2. CAS Latency = 3
Command
Bank B
Write
CBz
DBw0
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Z
Hi
RBz
RBz
Command
Bank B
DBw3
DBw1 DBw2
Write
Command
Bank B
DBx0
DBx1
CBx
Write
DBy1
DBy0
DBy2
Precharge
Command
Bank B
DBy3
CBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK3
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank B
DBz0
Activate
Command
Bank B
Write
DBz1
RBz
RBz
CBz
SPT03924
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2184 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2185 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2186 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2187 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2188 | 3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2185 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2186 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2187 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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