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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2187 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 4米× 64位江戶內(nèi)存3.3分× 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 4/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2187 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
4
12.99
Functional Block Diagrams
Block Diagram: 4 Bank
×
4M
×
4 SDRAM
SPB03696
Memory
Array
Bank 0
4096 x 1024
x 4 Bit
C
S
Row Decoder
C
Bank 1
Array
Memory
4096 x 1024
x 4 Bit
Row Decoder
C
Bank 2
Array
Memory
4096 x 1024
x 4 Bit
Row Decoder
C
Bank 3
Array
Memory
4096 x 1024
x 4 Bit
Row Decoder
Counter
Column Address
Column Address
Buffer
A0 - A9, AP, BA0, BA1
Column Addresses
Row Address
Buffer
A0 - A11, BA0, BA1
Row Addresses
Refresh Counter
DQ0 - DQ3
Input Buffer
Output Buffer
Timing Generator
Control Logic &
C
C
C
R
C
W
D
S
S
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2188 | 3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2189 | 3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2192 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2193 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2194 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2189 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2192 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2193 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2194 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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