參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q2245
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module
中文描述： 3.3 16米x 64位江戶內(nèi)存3.3V的16米x 72位江戶記憶體模組
文件頁(yè)數(shù)： 22/53頁(yè)
文件大?。?/td> 418K
代理商： Q67100-Q2245
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
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PDF描述
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