參數(shù)資料
型號: Q67100-Q2367
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
中文描述: 4米× 36位EDO公司-記憶體模組
文件頁數(shù): 37/53頁
文件大?。?/td> 418K
代理商: Q67100-Q2367
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
36
12.4 Clock Suspension During Burst Write CAS Latency = 3
Clock
Suspend
2 Cycles
Bank A
DQMx
Addr.
DQ
A8/AP
BA
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Clock
Suspend
1 Cycle
Command
Write
DAx0
DAx1
RAx
RAx
CAx
Clock
Suspend
3 Cycles
DAx2
DAx3
SPT03917
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
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