- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361232 > Q67100-Q2800 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) BAG 8X10 SHIELDED ZIP LOCK PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2800 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | BAG 8X10 SHIELDED ZIP LOCK |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 43/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2800 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當前第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
42
17. Random Column write (Page within same Bank)
17.1 CAS Latency = 2
DBy1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
DBw0
DBw1
CAw
CAx
Write
Command
Bank B
DBw3
DBw2
DBx0
DBx1
DBy0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank B
DBy2
DBy3
Activate
Command
Bank B
RAz
RAz
SPT03923
Read
Command
Bank B
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
DBz1
DBz0
DBz2
DBz3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-H5001 | NONVOLATILE MEMORY 2-Kbit EEPROM WITH I2C BUS |
| Q67100-H6222 | ICs for Communications |
| Q67100-H6035 | ICs for Communications |
| Q67100-H6216 | ICs for Communications |
| Q67100-H6420 | ICs for Communications |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3016 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。