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參數(shù)資料
| 型號： | QM100E3Y2HK |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 100A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管電源模塊|達(dá)林頓| 100號A一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | QM100E3Y2HK |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM100E3Y-HK | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 100A I(C) |
| QM150DY24BK | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 150A I(C) |
| QM150DY2HBK | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 150A I(C) |
| QM150DY2HK | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 150A I(C) |
| QM150DY3H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.4KV V(BR)CEO | 150A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QM100E3Y-HK | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 100A I(C) |
| QM100HA-H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM100HC-M | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
| QM100HY-2 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM100HY2H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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