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參數(shù)資料
| 型號： | QM200DY-2HB |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | CAP, 10UF, CER, ?20%, Y5V, 10V, 1206 |
| 中文描述： | 大功率開關使用絕緣型 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | QM200DY-2HB |
Feb.1999
I
r
r
μ
c
S
–
C
t
r
μ
s
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS (DIODE PART)
7
5
3
2
10
10
2
34
RATED SURGE COLLECTOR REVERSE CURRENT
(DIODE FORWARD SURGE CURRENT)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE (TYPICAL)
CONDUCTION TIME (CYCLES AT 60Hz)
FORWARD CURRENT
I
F
(A)
TIME (s)
Z
t
°
C
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM200DY-2HB
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
0
10
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
10
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400
800
1200
1600
2000
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0.40
0.32
0.24
0.16
0.08
0
10
7
5
1
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2 3 4 5 7
2 3 4 5 7
2
10
T
j
=25°C
T
j
=125°C
V
CC
=600V
I
B1
=0.4A
–I
B2
=4A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM200DY-2H | CAP CER 10UF 10V Y5V 1206 |
| QM200DY24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY2HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QM200DY-H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| QM200DY-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200HA24 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200HA-24 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| QM200HA-2H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
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