參數(shù)資料
型號: QM200DY2H
英文描述: TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C)
中文描述: 晶體管|晶體管電源模塊|半橋|達林頓| 1KV交五(巴西)總裁| 200安培我(丙)
文件頁數(shù): 4/5頁
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代理商: QM200DY2H
相關PDF資料
PDF描述
QM200DY2HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C)
QM200HA24 TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
QM200DY-HB HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM200HA-HK HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM200DY-24 HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
QM200DY-2H 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM200DY2HB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C)
QM200DY-2HB 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM200DY-H 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module
QM200DY-HB 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE