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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | QM30TB-2H |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 中功率開(kāi)關(guān)使用絕緣型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | QM30TB-2H |
Feb.1999
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I
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t
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Q
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CC
=600V
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B1
=–I
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=0.6A
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j
=25°C
T
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=125°C
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2 3 45 7
3
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I
r
r
μ
c
S
–
C
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (DIODE)
RATED SURGE COLLECTOR REVERSE CURRENT
(DIODE FORWARD SURGE CURRENT)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE (TYPICAL)
CONDUCTION TIME (CYCLES AT 60Hz)
FORWARD CURRENT
I
F
(A)
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM30TB-2H
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
Z
t
°
C
t
r
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM30TB24 | Power inductor, 20% tol, SMT, RoHS |
| QM30TB24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB2HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TF-HB | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QM30TB2HB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM30TF-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM30TX-H | 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述: |
| QM30TX-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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