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參數(shù)資料
| 型號： | QM30TB-2HB |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 中功率開關(guān)使用絕緣型 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | QM30TB-2HB |
Feb.1999
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t
rr
Q
rr
T
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=25°C
T
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=125°C
V
CC
=600V
I
B1
=60mA
–I
B2
=0.6A
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2 3 45 7
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I
r
r
μ
c
S
–
C
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (DIODE)
RATED SURGE COLLECTOR REVERSE CURRENT
(DIODE FORWARD SURGE CURRENT)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE (TYPICAL)
CONDUCTION TIME (CYCLES AT 60Hz)
FORWARD CURRENT
I
F
(A)
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM30TB-2HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
Z
t
°
C
t
r
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM30TB-2H | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| QM30TB24 | Power inductor, 20% tol, SMT, RoHS |
| QM30TB24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB2HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QM30TF-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM30TX-H | 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述: |
| QM30TX-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM31280FB-S | 制造商:Seagate Technology 功能描述:3.5" 1280 MB SCSI-2 5400RPM |
| QM313000CR-A | 制造商:Seagate Technology 功能描述:DRIVE 13GB IDE 5400 RPM 3 1/2 |
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