型號: | QM75DY2HB |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 75A I(C) |
中文描述: | 晶體管|晶體管電源模塊|半橋|達林頓| 1KV交五(巴西)總裁| 75A條一(c) |
文件頁數: | 5/5頁 |
文件大?。?/td> | 226K |
代理商: | QM75DY2HB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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QM75E2Y-2H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
QM75E2Y-H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
QM75E2Y2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 75A I(C) |
QM75E3Y2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 75A I(C) |
QM75E3Y-2H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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QM75DY-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
QM75DY-H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
QM75DY-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
QM75E2Y2H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 75A I(C) |
QM75E2Y-2H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |