參數(shù)資料
型號： QSC114
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光敏三極管
英文描述： PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： QSC114
Parameter
Symbol
T
OPR
T
STG
T
SOL-I
T
SOL-F
V
CE
V
EC
P
D
Rating
-40 to +100
-40 to +100
240 for 5 sec
260 for 10 sec
30
5
100
Unit
°C
°C
°C
°C
V
V
mW
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature (Iron)
(2,3,4)
Soldering Temperature (Flow)
(2,3)
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Collector Voltage
Power Dissipation
(1)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
PLASTIC SILICON INFRARED
PHOTOTRANSISTOR
QSC112
QSC113
QSC114
www.fairchildsemi.com
2 OF 4
7/09/01
DS300358
ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C)
PARAMETER
Peak Sensitivity Wavelength
Reception Angle
Collector-Emitter Dark Current
Collector-Emitter Breakdown
Emitter-Collector Breakdown
On-State On-State Collector QSC112
On-State On-State Collector QSC113
On-State On-State Collector QSC114
TEST CONDITIONS
SYMBOL
MIN
TYP
880
±8
—
—
—
—
—
—
MAX
—
—
100
—
—
4
9.60
—
UNITS
nm
Deg.
nA
V
V
!
PS
"
I
CEO
BV
CEO
BV
ECO
—
—
—
30
5
1
2.40
4.00
V
CE
= 10 V, Ee = 0
I
C
= 1 mA
I
E
= 100 μA
Ee = 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
(5)
I
C(ON)
mA
Saturation Voltage
Ee = 0.5 mW/cm
2
,
I
C
= 0.5 mA
(5)
V
CC
= 5 V, R
L
= 100
#
I
C
= 2 mA
V
CE(sat)
—
—
0.4
V
Rise Time
Fall Time
t
r
t
f
—
—
5.0
5.0
—
—
μs
1. Derate power dissipation linearly 1.33 mW/°C above 25°C.
2. RMA flux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron
1/16”
(1.6mm) minimum from housing.
5.
!
= 880 nm, AlGaAs.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSC112 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSC113 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSC114 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSC133 PLASTIC SILICON PHOTODARLINGTON
QSD124 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
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參數(shù)描述
QSC114 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOSWITCH ROHS COMPLIANT:NO
QSC114C 功能描述:光電晶體管 4mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSC133 功能描述:IC PHOTODARL IR 880NM BLACK 3MM RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標準包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
QSC15024S05 功能描述:DC-DC CONV, 150W QUARTER BRICK, 制造商:xp power 系列:QSC150 零件狀態(tài):在售 類型:隔離模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:9V 電壓 - 輸入（最大值）:36V 電壓 - 輸出 1:5V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:30A 功率（W）:150W 電壓 - 隔離:2.25kV 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 特性:遠程開/關(guān)，OCP，OTP，OVP，UVLO 工作溫度:-40°C ~ 105°C 效率:92% 安裝類型:通孔 封裝/外殼:四分之一磚 大小/尺寸:2.28" 長 x 1.45" 寬 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 供應(yīng)商器件封裝:四分之一磚 標準包裝:1
QSC15024S12 功能描述:DC-DC CONV, 150W QUARTER BRICK, 制造商:xp power 系列:QSC150 零件狀態(tài):在售 類型:隔離模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:9V 電壓 - 輸入（最大值）:36V 電壓 - 輸出 1:12V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:12.5A 功率（W）:150W 電壓 - 隔離:2.25kV 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 特性:遠程開/關(guān)，OCP，OTP，OVP，UVLO 工作溫度:-40°C ~ 105°C 效率:92% 安裝類型:通孔 封裝/外殼:四分之一磚 大小/尺寸:2.28" 長 x 1.45" 寬 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 供應(yīng)商器件封裝:四分之一磚 標準包裝:1
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