參數(shù)資料
型號： QSD124
廠商： QT OPTOELECTRONICS
元件分類： 光敏三極管
英文描述： PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 93K
代理商： QSD124
0.195 (4.95)
0.040 (1.02)
NOM
0.305 (7.75)
0.240 (6.10)
0.215 (5.45)
0.020 (0.51)
SQ. (2X)
REFERENCE
SURFACE
COLLECTOR
0.800 (20.3)
MIN
0.100 (2.54) NOM
0.500 (1.25)
EMITTER
PACKAGE DIMENSIONS
FEATURES
NPN Silicon Phototransistor
Package Type: T-1 3/4
Notched Emitter: QED12X/QED22X/QED23X
Narrow Reception Angle: 24°C
Daylight Filter
Package Material and Color: Black Epoxy
High Sensitivity
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions
unless otherwise specified.
PLASTIC SILICON INFRARED
PHOTOTRANSISTOR
EMITTER
COLLECTOR
SCHEMATIC
DESCRIPTION
The QSD122/123/124 is a phototransistor encapsulated in an infrared transparent, black T-1 3/4 package.
QSD122
QSD123
QSD124
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300361
7/20/01
1 OF 4
www.fairchildsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSD122 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSD128 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSD2030F Plastic Silicon Photodiode
QSD2030 PLASTIC SILICON PHOTODIODE
QSD422 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QSD124_Q 功能描述:光電晶體管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSD124A4R0 功能描述:光電晶體管 QSD124 T-R RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSD128 功能描述:IC PHOTOTRANS IR 880NM BLACK 5MM RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
QSD2030 功能描述:光電二極管 T-1 3- 4 SENSOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5
QSD2030_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode
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