參數(shù)資料
型號(hào)： QSD733
廠商： QT OPTOELECTRONICS
元件分類： 光敏三極管
英文描述： PLASTIC SILICON PHOTODARLINGTON
中文描述： PHOTO DARLINGTON DETECTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： QSD733
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTODARLINGTON
QSD733
www.fairchildsemi.com
2 OF 4
7/16/01
DS300364
1. Derate power dissipation linearly 1.33 mW/°C above 25°C.
2. RMA flux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron
1/16”
(1.6mm) minimum from housing.
5.
!
= 880 nm, AlGaAs.
Parameter
Symbol
T
OPR
T
STG
T
SOL-I
T
SOL-F
V
CE
V
EC
P
D
Rating
-40 to +100
-40 to +100
240 for 5 sec
260 for 10 sec
30
5
100
Unit
°C
°C
°C
°C
V
V
mW
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature (Iron)
(2,3,4)
Soldering Temperature (Flow)
(2,3)
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Collector Voltage
Power Dissipation
(1)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
PARAMETER
Peak Sensitivity Wavelength
Reception Angle
Collector-Emitter Dark Current
Collector-Emitter Breakdown
Emitter-Collector Breakdown
On-State Collector Current
(5)
Saturation Voltage
(5)
Rise Time
Fall Time
TEST CONDITIONS
SYMBOL
!
PS
"
I
CEO
BV
CEO
BV
ECO
I
C(ON)
V
CE(sat)
t
r
t
f
MIN
—
—
—
30
5
5.0
—
—
—
TYP
880
±20
—
—
—
—
—
20
50
MAX
—
—
100
—
—
—
1.0
—
—
UNITS
nm
Deg.
nA
V
V
mA
V
V
CE
= 10 V, Ee = 0
I
C
= 1 mA
I
E
= 100 μA
Ee = 0.125 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
Ee = 0.125 mW/cm
2
, I
C
= 2.0 mA
V
CC
= 5 V, R
L
= 100
, I
C
= 0.15 mA
μs
ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSE112 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 880NM PEAK WAVELENGTH | LED-7C
QSE113 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE114 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE113 SIDELOODER PHOTOTRANSISTOR
QSE114 SIDELOODER PHOTOTRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QSD733_Q 功能描述:光電晶體管 PHOTO SENS. TO-18 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSD733C 功能描述:光電晶體管 QSD733 CLEAR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSD733C_Q 功能描述:光電晶體管 QSD733 CLEAR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSD8T120B 功能描述:PHOTOTRANSISTOR IR 5MM BK LENS 制造商:qt brightek (qtb) 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:880nm 視角:30° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA） 封裝/外殼:徑向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
QSDL1005001 制造商:HP 功能描述:*
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