參數(shù)資料
型號(hào)： R83C154DTXXX-16
廠(chǎng)商： TEMIC SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, MROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, CQCC44
文件頁(yè)數(shù)： 80/238頁(yè)
文件大?。?/td> 4549K
代理商： R83C154DTXXX-16
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170
8006K–AVR–10/10
ATtiny24/44/84
Figure 19-4. Addressing the Flash which is Organized in Pages
Figure 19-5. High-voltage Serial Programming Waveforms
19.7.5
Programming the EEPROM
The EEPROM is organized in pages, see Table 20-12 on page 183. When programming the
EEPROM, the data is latched into a page buffer. This allows one page of data to be pro-
grammed simultaneously. The programming algorithm for the EEPROM Data memory is as
follows (refer to Table 19-16 on page 171):
1.
Load Command “Write EEPROM”.
2.
Load EEPROM Page Buffer.
3.
Program EEPROM Page. Wait after Instr. 2 until SDO goes high for the “Page Program-
ming” cycle to finish.
4.
Repeat 2 through 3 until the entire EEPROM is programmed or until all data has been
programmed.
5.
End Page Programming by Loading Command “No Operation”.
PROGRAM MEMORY
WORD ADDRESS
WITHIN A PAGE
PAGE ADDRESS
WITHIN THE FLASH
INSTRUCTION WORD
PAGE
PCWORD[PAGEMSB:0]:
00
01
02
PAGEEND
PAGE
PCWORD
PCPAGE
PCMSB
PAGEMSB
PROGRAM
COUNTER
MSB
LSB
0123456789
10
SDI
PB0
SII
PB1
SDO
PB2
SCI
PB3
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PDF描述
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