參數(shù)資料
型號(hào): RF1S30P05SM9A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 50V五(巴西)直| 30A條(?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù): 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 233K
代理商: RF1S30P05SM9A
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1S30P06SM9A TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
RF1S40N10LESM9A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
RF1S530SM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
RF1S530SM9A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
RF1S540SM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S30P06 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S30P06SM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S30P06SM9A 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk