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參數(shù)資料
| 型號： | RFD16N06 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| 中文描述： | 16 A, 60 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | RFD16N06 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD16N06SM | 16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| RFD16N03 | 16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| RFD16N03L | 16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| RFD16N05 | 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N05L | 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RFD16N06LE | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N06LESM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W ;RoHS Compliant: Yes |
| RFD16N06LESM9A | 功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD16N06SM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD16N10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-251AA |
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