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參數(shù)資料

型號：	RN1106F
英文描述：	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
中文描述：	晶體管\| 50V五（巴西）總裁\| 100mA的一（c）\|的SOT - 416
文件頁數(shù)：	2/7頁
文件大?。?/td>	256K
代理商：	RN1106F

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相關PDF資料	PDF描述
RN1107F	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
RN1108F	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
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相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
RN1106FS	功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 4.7K x 47Kohms RoHS:否制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1106FS(TPL3)	功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 3Pin 4.7K x 47Kohms RoHS:否制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1106MFV	功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 4.7K x 47Kohms RoHS:否制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1106MFV(TL3,T)	制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN VESM
RN1106MFV(TPL3)	功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms RoHS:否制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel

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