參數(shù)資料
型號(hào): RN1107F
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的SOT - 416
文件頁(yè)數(shù): 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商: RN1107F
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN1108F TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
RN1109F TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
RN1110 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
RN1241A TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK
RN1241B TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RN1107FS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1107FS(TPL3) 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 3Pin 10K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1107MFV 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 10K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1107MFV(TPL3) 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1108 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications