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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RN1312 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SC - 70 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | RN1312 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN1313 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| RN1441A | TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59 |
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| RN1442B | TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RN1312(TE85L,F) | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 22Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN1313 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 INCORRECT MOUSER P/N 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN1313(TE85L,F) | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN1314 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1314(TE85L,F) | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 1.0K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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