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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RN2102F |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | RN2102F |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| RN2102FS | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 INCORRECT MOUSER P/N 10K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN2102FS(TPL3) | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 -50mA -20volts 3Pin 10K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN2102MFV | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 INCORRECT MOUSER P/N 10K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN2102MFV(TPL3) | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN2103 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
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