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參數資料
| 型號： | RN2312 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SC - 70 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | RN2312 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN2313 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| RN2314 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| RN2315 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| RN2316 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| RN2317 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| RN2312(TE85L,F) | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA -50volts 3Pin 22Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN2313 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN2313(TE85L,F) | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA -50volts 3Pin 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN2314 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Neg 100mA -50volts 1.0K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN2314(TE85L,F) | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA -50volts 3Pin 1.0K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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