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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RS1JG |
| 廠商： | DC Components Co., Ltd. |
| 英文描述： | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts |
| 中文描述： | 技術(shù)參數(shù)表面貼裝快速恢復(fù)整流電壓范圍- 50至1000伏特 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | RS1JG |
R
DC COMPONENTS CO., LTD.
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( RS1A
G
THRU RS1M
G
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RS1JHE3/2GT | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 600 Volt 1.0A 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| RS1JHE3/5AT | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 600 Volt 1.0A 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| RS1JHE3/61T | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 600 Volt 1.0A 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| RS1JHE3/63T | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 600 Volt 1.0A 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| RS1JHE3_A/H | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE; Diode Type:Fast Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Forward Current If(AV):1A; Forward Voltage VF Max:1.3V; Reverse Recovery Time trr Max:250ns; Forward Surge Current Ifsm Max:30A ;RoHS Compliant: Yes |
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