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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RX1214B130Y |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | RX1214B130Y |
1997 Feb 14
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
RX1214B80W; RX1214B130Y
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RX1214B80W | NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管) |
| RX1214B150W | Bipolar NPN UHF/Microwave Transisitor |
| RX1214B170W | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| RX1214B300Y | NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管) |
| RX1300 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RX1214B150W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Bipolar NPN UHF/Microwave Transisitor |
| RX1214B170W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| RX1214B300Y | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| RX1214B300Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| RX1214B300Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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