參數(shù)資料
型號： RX1214B170W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： RX1214B170W
1997 Feb 18
11
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
RX1214B170W
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RX1214B300Y NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管)
RX1300 Analog IC
RX1305 Analog IC
RX1310 Analog IC
RX1320 Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RX1214B300Y 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
RX1214B300Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
RX1214B300Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
RX1214B350Y 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
RX1214B80W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*