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STB43N60DM2

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  • STB43N60DM2
    STB43N60DM2

    STB43N60DM2

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-263-3

  • 21+

  • -
  • 原裝正品,假一賠十!

  • STB43N60DM2
    STB43N60DM2

    STB43N60DM2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STB43N60DM2
    STB43N60DM2

    STB43N60DM2

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • ST/意法

  • NA

  • 21+

  • -
  • 原廠授權(quán),價(jià)格超越代理!

  • STB43N60DM2 IC
    STB43N60DM2 IC

    STB43N60DM2 IC

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2500

  • ST/意法

  • D2PAK

  • 23+

  • -
  • 代理貨源,價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
STB43N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STB43N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STB42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):79 毫歐 @ 16.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):87 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB40NS15T4 功能描述:MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2420pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB40NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB40NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1780pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-50°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB4N62K3 STB4NK60Z-1 STB4NK60ZT4 STB50N25M5 STB50NE10T4 STB50NF25 STB55NF06LT4 STB55NF06T4 STB5600TR STB57N65M5 STB5N52K3 STB5N62K3 STB5N80K5 STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3
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