STD7N90K5

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STD7N90K5
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
16530
ST/意法
NA
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

STD7N90K5
深圳市鵬展勝電子有限公司
深圳市鵬展勝電子有限公司
聯(lián)系人：林先生
電話：180-3814-3894
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10833
ST(意法)
原裝正品
23/24+
-
只做原裝正品假一賠十現(xiàn)貨

STD7N90K5
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1097
ST
TO252
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

STD7N90K5
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
isc,iscsemi
DPAK/TO-252
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

STD7N90K5
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層16B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6005
ST/意法半導(dǎo)體
TO-252-3
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

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功能描述
N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? K5
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
900V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
Vgs（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STD7N90K5 技術(shù)參數(shù)

STD7N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:360pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD7N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:271pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD7N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 6.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:980 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:737pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD7N52DK3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD80N10F7 STD80N4F6 STD80N6F6 STD815CP40 STD826T4 STD830CP40 STD840DN40 STD845DN40 STD85N10F7AG STD85N3LH5 STD86N3LH5 STD878T4 STD888T4 STD8N60DM2 STD8N65M5 STD8N80K5 STD8NF25 STD8NM50N