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STGB20H60DF

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGB20H60DF
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

STGB20H60DF
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
ST
D2PAK
22+
-
十年配單，只做原裝

STGB20H60DF
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

STGB20H60DF
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W D
22+
-

STGB20H60DF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

STGB20H60DF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

STGB20H60DF
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
IGBT 600V 40A 167W D...

STGB20H60DF
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4960
STMICROEL
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

STGB20H60DF
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5516
ST
TO-263
2230+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

STGB20H60DF
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
ST
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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功能描述
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
80A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
167W
開關(guān)能量
209μJ（開），261μJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
115nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
42.5ns/177ns
測試條件
400V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr）
90ns
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STGB20H60DF 技術(shù)參數(shù)

STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關(guān)能量:81μJ（開），125μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:25ns/90ns 測試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:165μJ（開），255μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/105ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:165μJ（開），255μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/105ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:31ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關(guān)能量:85μJ（開），189μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:25ns/97ns 測試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:31ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB18N40LZT4 功能描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:420V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:29nc 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:650ns/13.5μs 測試條件:300V，10A，5V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4