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STH72B

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  • 廣東濟(jì)德精密電子有限公司
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    電話:13288088530

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STH72B 技術(shù)參數(shù)
  • STH6N95K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.25 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH410N4F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.1 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):141nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH410N4F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.1 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):141nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH400N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.15 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):404nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH400N4F6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.15 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):404nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STHS2375AM6F STHS2375LM6F STHS2377AM6F STHS4257A1M6F STHV STHV748QTR STHV800L STHVDAC-253MF3 STHVDAC-253MTGF3 STHVDAC-256MTGF3 STHVDAC-303F6 STHW-690-N STI STI10N62K3 STI10NM60N STI11NM60ND STI11NM80 STI1200B
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