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STL24N60DM2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 16600

  • ST

  • QFN

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十,電話:0...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人:吳小姐

    電話:852906044930755-82762262

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號(hào)都會(huì)軒2506

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ST(意法)

  • 8-PowerVDFN

  • 22+

  • -
  • 全新原裝正品

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9723

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
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  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 15A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 220 毫歐 @ 9A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 29nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 1055pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?(8x8) HV
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL24N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STL23NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):92A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2100pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.8A(Ta),14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1330pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL22N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1345pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL225N6F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):98nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):188W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 60A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5 STL-350-3-01
配單專家

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