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STW40100C

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STW40100C
    STW40100C

    STW40100C

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條 
  • 1
STW40100C PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
  • 制造商
  • smc diode solutions
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 二極管配置
  • 1 對(duì)共陰極
  • 二極管類型
  • 肖特基
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 100V
  • 電流 - 平均整流(Io)(每二極管)
  • -
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf)
  • 750mV @ 20A
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • -
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 1mA @ 100V
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247AD
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
STW40100C 技術(shù)參數(shù)
  • STW3N170 功能描述:N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2. 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 歐姆 @ 1.3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW38NB20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 38A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3800pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):95 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW42N60M2-EP STW42N65M5 STW43N60DM2 STW43NM50N STW43NM60N STW43NM60ND STW45N60DM2AG STW45N65M5 STW45NM50 STW45NM50FD STW45NM60 STW46NF30 STW47NM60ND STW48N60DM2 STW48N60M2 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW4N150
配單專家

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