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參數(shù)資料
| 型號： | S1T8528X01-Q0R0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | IC, 10/100 BASE-T PHY TRANSCEIVER |
| 中文描述： | 強化- 1射頻集成電路芯片CT0 |
| 文件頁數(shù)： | 10/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 1905K |
| 代理商： | S1T8528X01-Q0R0 |
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S1T8528
ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC
10
Expander Gain Difference
G
V1(EXP)
G
V2(EXP)
G
V3(EXP)
Vin
E
=
10dB
Vin
E
=
20dB
Vin
E
=
30dB
Vin
E
= 63.2mVrms
→
0dB
Vin
E
= 63.2mVrms
→
0dB
1.0
0
1.0
dB
1.5
0
1.5
dB
2.0
0
2.0
dB
Expander Output Distortion
THD
EXP
0.5
1.0
%
Mute Attenuation Ratio
ATT
MUTE
60
80
dB
Expander Maximum Output
Voltage
V
OEXP(MAX)
Vin
E
= Variable
THD = 10%
800
mVrms
Maximum Output Voltage
V
OSPK(MAX)
R
L
= 150
RL = 600
Vin = Vcc
2.2
Vp-p
3.0
-
Vp-p
Input Current
I
IH
5
μ
A
I
IL
Vin = 0V
5
μ
A
Input Voltage
V
IH
Vcc-0.3
V
V
IL
0.3
V
Output Current
I
OH
Vout = Vcc
0.3
mA
I
OL
Vout = 0V
0.3
mA
Output Voltage
V
OH1
PDT,PDR: Io = -0.3mA
( Sourcing )
Vcc-0.4
V
V
OL1
PDT,PDR: Io = 0.3mA
( Sinking )
0.4
V
V
OH2
LD,f
MCU
: Io =
0.1mA
( Sourcing )
Vcc-0.5
V
V
OL2
LD,f
MCU
: Io = 0.1mA
( Sinking )
0.5
V
PLL regulator voltage
V
PLLREG
1.90
2.05
2.20
V
Regulator Load Current
I
REG
Vout = V
REG
(OPEN)-0.05V
3.0
mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
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參數(shù)描述 |
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