參數(shù)資料
型號: S1VB80
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 1 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝: 1V, SIP-4
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 356K
代理商: S1VB80
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
* Sine wave は 50Hz で測定しています。
* 50Hz sine wave is used for measurements.
*半導體製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統(tǒng)計的な実力を表しています。
* Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
(J534-1)
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S1VB
Small SIP Bridge
相關PDF資料
PDF描述
S1ZA40-4072 0.63 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
S20F 0.23 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
S25F 0.23 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE
S20LC20U-4001 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
S20LC40UT 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S1VB80-4000 功能描述:橋式整流器 RO 627-S1VB80-7000 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S1VB80-4101 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S1VB80-7000 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S1VB80-7004 制造商:Shindengen Electric Mfg 功能描述:Cut Tape
S1VB80-7101 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube