型號: | S1VB80 |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 1 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封裝: | 1V, SIP-4 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 356K |
代理商: | S1VB80 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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S1ZA40-4072 | 0.63 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
S20F | 0.23 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
S25F | 0.23 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
S20LC20U-4001 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
S20LC40UT | 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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S1VB80-4000 | 功能描述:橋式整流器 RO 627-S1VB80-7000 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S1VB80-4101 | 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S1VB80-7000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S1VB80-7004 | 制造商:Shindengen Electric Mfg 功能描述:Cut Tape |
S1VB80-7101 | 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |