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參數(shù)資料
| 型號： | S75PL127J |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Power supply woltage of 2.7 to 3.1 volt |
| 中文描述： | 功率2月7號至三月一日伏的電源woltage |
| 文件頁數(shù)： | 175/183頁 |
| 文件大小： | 1409K |
| 代理商： | S75PL127J |
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Ocotober 16, 2004 pSRAM_Type06_14_A1
pSRAM Type 6
176
P r e l i m i n a r y
DC Characteristics (Ta = -40°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3 V) (See Note 3 to 4)
Capacitance (Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Note:
This parameter is sampled periodically and is not 100% tested.
AC Characteristics and Operating Conditions
(Ta = -40°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3 V) (See Note 5 to 11)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
IL
Input Leakage
Current
V
IN
= 0 V to V
DD
-1.0
—
+1.0
μA
I
LO
Output Leakage
Current
Output disable, V
OUT
= 0 V to V
DD
-1.0
—
+1.0
μA
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= - 0.5 mA
2.0
V
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.0 mA
—
—
0.4
V
I
DDO1
Operating Current
CE1#= V
IL
, CE2 = V
IH
, I
OUT
= 0
mA, t
RC
= min
ET5UZ8A-43DS
—
—
40
mA
ET5VB5A-43DS
—
—
50
I
DDO2
Page Access
Operating Current
CE1#= V
IL
, CE2 = V
IH
, I
OUT
= 0 mA
Page add. cycling, t
RC
= min
—
—
25
mA
I
DDS
Standby
Current(MOS)
CE1# = V
DD
- 0.2 V,
CE2 = V
DD
- 0.2 V
ET5UZ8A-43DS
—
—
70
mA
ET5VB5A-43DS
—
—
100
μA
I
DDSD
Deep Power-down
Standby Current
CE2 = 0.2 V
—
—
5
μA
Symbol
Parameter
Test Condition
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= GND
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= GND
10
pF
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
t
RC
Read Cycle Time
70
10000
ns
t
ACC
Address Access Time
—
70
ns
t
CO
Chip Enable (CE1#) Access Time
—
70
ns
t
OE
Output Enable Access Time
—
25
ns
t
BA
Data Byte Control Access Time
—
25
ns
t
COE
Chip Enable Low to Output Active
10
—
ns
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
—
ns
t
BE
Data Byte Control Low to Output Active
0
—
ns
t
OD
Chip Enable High to Output High-Z
—
20
ns
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
—
20
ns
t
BD
Data Byte Control High to Output High-Z
—
20
ns
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