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參數(shù)資料
| 型號： | SA701N |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 諧振器 |
| 英文描述： | Divide by: 128/129-64/65 dual modulus low power ECL prescaler |
| 中文描述： | ECL SERIES, PRESCALER, PDIP8 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, MO-001AN, SOT-97-1, DIP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | SA701N |
Philips Semiconductors RF Communications Products
Product specification
SA701
Divide by: 128/129-64/65 dual modulus low power
ECL prescaler
June 17, 1993
6
IN
V
CC
SW
OUT
GND
MC
NC
IN
50
50
IN
IN
1C1
1C2
50
R1
50
R2
MC
V
CC
SW
2.2k
R3
5pF
OUT
C3
0.1
μ
F
Figure 1. SA701 Test Circuit
Figure 2. Minimum Input Power vs Frequency and Temperature
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
200
400
600
800
1000
1200
25
°
C
M
FREQUENCY (MHz)
–40
°
C
85
°
C
V
CC
= 3.0V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SA701 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SA7025 | Low-voltage 1GHz fractional-N synthesizer |
| SA7025DK | Low-voltage 1GHz fractional-N synthesizer |
| SA7026 | 1.3GHz low voltage fractional-N dual frequency synthesizer |
| SA7026DH | 1.3GHz low voltage fractional-N dual frequency synthesizer |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SA702 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SA702/DF9M | 制造商:Hirose 功能描述:903-4508-0-00 EACH 制造商:Hirose 功能描述:SA702/DF9M |
| SA702/DF9M(62) | 制造商:Hirose 功能描述:903-4508-0-62 EACH 制造商:Hirose 功能描述:SA702/DF9M(62) |
| SA702/DF9M(63) | 制造商:Hirose 功能描述:903-4508-0-63 EACH 制造商:Hirose 功能描述:SA702/DF9M(63) |
| SA702/DF9M(68) | 制造商:Hirose 功能描述:903-4508-0-68 EACH 制造商:Hirose 功能描述:SA702/DF9M(68) |
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