參數(shù)資料
型號(hào)： SBT3906UF
廠商： AUK Corp
英文描述： PNP Silicon Transistor
中文描述： 進(jìn)步黨硅晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： SBT3906UF
KSD-T5D014-000
2
SBT3906UF
Absolute maximum ratings
Ta=25
°
C
Characteristic
Symbol
Collector-Base voltage
V
CBO
Collector-Emitter voltage
V
CEO
Emitter-Base voltage
V
EBO
Collector current
I
C
Collector
Power
dissipation
P
C
Junction temperature
T
j
Storage temperature range
T
stg
* : Package mounted on 99.5% alumina 10
×
8
×
0.6mm
Electrical Characteristics
Ta=25
°
C
Characteristic
Symbol
Ratings
-40
-40
-5
-200
200
150
-55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
*
Test Condition
Min. Typ. Max.
Unit
Collector-Base breakdown voltage
BV
CBO
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
-40
-
-
V
Collector-Emitter breakdown voltage
BV
CEO
I
C
=-1mA, I
B
=0
-40
-
-
V
Emitter-Base breakdown voltage
BV
EBO
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
-5
-
-
V
Collector cut-off current
I
CEX
V
CE
=-30V, V
EB
=-3V
-
-
-50
nA
DC current gain
h
FE
V
CE
=-1V, I
C
=-10mA
100
-
300
-
Collector-Emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA,
f=100MHz
V
CB
=-5V, I
E
=0, f=1MHz
-
-
-0.4
V
Transition frequency
f
T
250
-
-
MHz
Collector output capacitance
C
ob
-
-
4.5
pF
Delay time
t
d
-
-
35
ns
Rise time
t
r
V
CC
=-3V, I
C
=-10mA,
I
B1
=-1mA
-
-
35
ns
Storage time
t
s
-
-
225
ns
Fall Time
t
f
V
CC
=-3V,I
C
=-10mA,
I
B1
=I
B2
=-1mA
-
-
75
ns
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