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參數(shù)資料
| 型號： | SC16C554DBIB64,128 |
| 廠商： | NXP Semiconductors |
| 文件頁數(shù)： | 42/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC UART QUAD W/FIFO 64-LQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,500 |
| 通道數(shù)： | 4，QUART |
| FIFO's： | 16 字節(jié) |
| 電源電壓： | 2.5V，3.3V，5V |
| 帶自動流量控制功能： | 是 |
| 帶故障啟動位檢測功能： | 是 |
| 帶調(diào)制解調(diào)器控制功能： | 是 |
| 帶CMOS： | 是 |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 64-LQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 64-LQFP（10x10） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | 935276669128 SC16C554DBIB64-F SC16C554DBIB64-F-ND |
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PIC12(L)F1822/PIC16(L)F1823
DS41413C-page 48
2010-2012 Microchip Technology Inc.
3.5.2
LINEAR DATA MEMORY
The linear data memory is the region from FSR
address 0x2000 to FSR address 0x29AF. This region is
a virtual region that points back to the 80-byte blocks of
GPR memory in all the banks.
Unimplemented memory reads as 0x00. Use of the
linear data memory region allows buffers to be larger
than 80 bytes because incrementing the FSR beyond
one bank will go directly to the GPR memory of the next
bank.
The 16 bytes of common memory are not included in
the linear data memory region.
FIGURE 3-10:
LINEAR DATA MEMORY
MAP
3.5.3
PROGRAM FLASH MEMORY
To make constant data access easier, the entire
program Flash memory is mapped to the upper half of
the FSR address space. When the MSB of FSRnH is
set, the lower 15 bits are the address in program
memory which will be accessed through INDF. Only the
lower eight bits of each memory location is accessible
via INDF. Writing to the program Flash memory cannot
be accomplished via the FSR/INDF interface. All
instructions that access program Flash memory via the
FSR/INDF interface will require one additional
instruction cycle to complete.
FIGURE 3-11:
PROGRAM FLASH
MEMORY MAP
7
0
1
7
0
Location Select
0x2000
FSRnH
FSRnL
0x020
Bank 0
0x06F
0x0A0
Bank 1
0x0EF
0x120
Bank 2
0x16F
0xF20
Bank 30
0xF6F
0x29AF
0
7
1
7
0
Location Select
0x8000
FSRnH
FSRnL
0x0000
0x7FFF
0xFFFF
Program
Flash
Memory
(low 8
bits)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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