參數(shù)資料
型號(hào)： SD1006
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
封裝： TO-39, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： SD1006
- 15 -
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (SD1002THRU SD1006 )
FIG.4- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
REVERSE VOLTAGE. (V)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD
SURGE CURRENT
P
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
1
100
10
0.1
100
1.0
10
0
5
10
15
20
25
10
100
1000
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
Tj=25 C
f =1MHz
FIG.1- FORWARD
CURVE
CURRENT DERATING
LEAD TEMPERATURE. ( C)
A
FIG.2-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
I
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE. (V)
0
0.5
1.0
0
1
2
3
4
5
10
40
140
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
60
80
100
120
Tj= 25 C
Tj=125 C
Pulse Width-300ms
2% Duty Cycle
Single Phase Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
FIG.6- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
I
RATED PEAK REVERSE VOLTAGE. (V)
FIG.5- TYPICAL SAFE OPERATING AREA
REVERSE VOLTAGE. (V)
0.001
0.01
0.1
1.0
10.0
25
50
75
100
125
150
1
60
10
0
65
35
50
20
30
40
30
45
40
55
60
Tj=25 C
Tj=75 C
R(
) =300
Note 1
/W
C
A
50
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