參數(shù)資料
型號(hào)： SD703
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： SD703
polyfet rf devices
SD703
10
Push - Pull
AD
96.0
9.0
150.0
0.65 C/W
65
3.6
21.00
3.0
55
0.35
7.50
16.0
270
0.30
70
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
Common Source Power Gain
Drain Efficiency
Total
Device
Dissipation
Junction to
Case Thermal
Resistance
Maximum
Junction
Temperature
Storage
Temperature
DC Drain
Current
Drain to
Source
Voltage
Gate to
Source
Voltage
-65 C to 150 C
200 C
A
V
Load Mismatch Tolerance
VSWR
Drain to
Gate
Voltage
20:1
Relative
1.20
60.00
Ids =
mA, Vgs = 0V
V, Vgs = 0V
Ciss
Crss
Coss
Vds =
Idq =
A, Vds = V, F =
1.20
Bvdss
Idss
Drain Breakdown Voltage
V
mA
pF
pF
pF
Common Source Output Capacitance
Common Source Feedback Capacitance
Idq =
Idq = 1.20
500
Vgs = 20V, Ids =
Rdson
Saturation Resistance
Forward Transconductance
gM
Vds = 10V, Vgs = 5V
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
500
500
Common Source Input Capacitance
70
V
20
Igss
Vgs
Idsat
Zero Bias Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Bias for Drain Current
Saturation Current
1
7
uA
V
Mho
Ohm
Amp
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( EACH SIDE )
RF CHARACTERISTICS ( 110.0
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T =
Gps
A, Vds = V, F =
A, Vds = V, F =
Watts
V
1
MHz
MHz
MHz
Watts
Package Style
110.0
Vds = 0V Vgs = 30V
Vgs = 20V, Vds = 10V
HIGH EFFICIENCY, LINEAR
HIGH GAIN, LOW NOISE
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS
transistors designed specifically
for broadband RF applications.
Suitable for Militry Radios,
Cellular and Paging Amplifier Base
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,
Laser Driver and others.
28.0
Vds =
A, Vgs = Vds
Ids =
A
η
dB
%
o
o
o
"Polyfet" process features
low feedback and output capacitances
resulting in high F transistors with high
input impedance and high efficiency.
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER
TRANSISTOR
VDMOS
Vgs = 0V, F = 1 MHz
28.0
Vds =
Vgs = 0V, F = 1 MHz
28.0
Vds =
Vgs = 0V, F = 1 MHz
28.0
REVISION 03/28/2001
25 C )
WATTS OUTPUT )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SDA 4335 PLL Frequency Synthesizer, IF Counter, 7 bit ADC, 7 & 4 bit DAC(包含IF計(jì)數(shù)器,7位ADC,7和4位DAC的用于汽車收音機(jī)的鎖相環(huán)頻率合成器)
sda 545x Video Text Controller(8位視頻文本控制器)
sda 9187-3X Analog-Digital-Converter For Picture in Picture(用于畫中畫的6位模數(shù)轉(zhuǎn)換器)
sda 9188 Picture-in-Picture Processor with On-Chip PLL(片內(nèi)鎖有相環(huán)的畫中畫處理器)
sda 9205 Triple 8-Bit Analog-to-Digital-Converter(三倍8位A/D轉(zhuǎn)換器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SD7030-100-R 功能描述:固定電感器 10uH 1.7A 54mOhms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SD7030-101-R 功能描述:固定電感器 100uH 0.54A 446mOhms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SD7030-120-R 功能描述:固定電感器 12uH 1.55A 58mOhms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SD7030-121-R 功能描述:固定電感器 120uH 0.5A 629mOhms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SD7030-150-R 功能描述:固定電感器 15uH 1.4A 70mOhms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
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