型號: | SE2G |
英文描述: | SURFACE MOUNT HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
中文描述: | 表面貼裝高速整流二極管 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 148K |
代理商: | SE2G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SE701 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SE-2-G-4-G S/C | 功能描述:觸點探頭 HEADLESS CONCAVE NICKEL/SILVER BARREL RoHS:否 制造商:IDI 類型:Probes 尖端類型:Spherical Radius 長度:8.26 mm 電流額定值:10 A 彈力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050 |
SE-2-G-4-G-D/C | 功能描述:觸點探頭 HEADLESS CONCAVE NICKEL/SILVER BARREL RoHS:否 制造商:IDI 類型:Probes 尖端類型:Spherical Radius 長度:8.26 mm 電流額定值:10 A 彈力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050 |
SE-2-G-8.3-G D/C | 功能描述:觸點探頭 HEADLESS CONCAVE NICKEL/SILVER BARREL RoHS:否 制造商:IDI 類型:Probes 尖端類型:Spherical Radius 長度:8.26 mm 電流額定值:10 A 彈力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050 |
SE-2-H-10-G D/C | 功能描述:觸點探頭 HEADED SERRATED NICKEL/SILVER BARREL RoHS:否 制造商:IDI 類型:Probes 尖端類型:Spherical Radius 長度:8.26 mm 電流額定值:10 A 彈力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050 |
SE-2-H-4-G S/C | 功能描述:觸點探頭 HEADED SERRATED NICKEL/SILVER BARREL RoHS:否 制造商:IDI 類型:Probes 尖端類型:Spherical Radius 長度:8.26 mm 電流額定值:10 A 彈力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050 |