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參數(shù)資料
| 型號： | SE5450-013 |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | 3.77 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 935 nm |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | SE5450-013 |
GaAs Infrared Emitting Diode
SE3450/5450
Radiant Intensity vs
Angular Displacement (SE3450)
gra_017.ds4
Angular displacement - degrees
R
e
la
ti
v
e
in
te
n
s
it
y
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-60
-45
-30
-15
0
+15 +30 +45 +60
Fig. 1
Radiant Intensity vs
Angular Displacement (SE5450)
gra_023.ds4
Angular displacement - degrees
R
e
la
ti
v
e
in
te
n
s
it
y
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-40
-30
-20
-10
0
+10 +20 +30 +40
Fig. 2
Radiant Intensity vs
Forward Current
gra_018.ds4
Forward current - mA
N
o
rm
a
liz
e
d
ra
d
ia
n
t
in
te
n
s
it
y
-
%
0.0
50
100
150
200
250
0
100
200
300
400
500
Pulsed
Fig. 3
Forward Voltage vs
Forward Current
gra_205.ds4
Forward current - mA
F
o
rw
a
rd
v
o
lt
a
g
e
-
V
1.00
1.05
1.10
1.20
1.25
1.30
1.40
0
10 20
40
60
80 90 100
50
1.15
1.35
30
70
Fig. 4
Forward Voltage vs
Temperature
gra_206.ds4
Temperature - °C
F
o
rw
a
rd
v
o
lt
a
g
e
-
V
1.20
1.25
1.30
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
I
F = 100 mA
Fig. 5
Spectral Bandwidth
gra_005.ds4
Wavelength - nm
R
e
la
ti
v
e
in
te
n
s
it
y
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
870
890
910
930
950
970
990
1010
Fig. 6
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
26
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SE5450-014 | 3.77 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 935 nm |
| SE5470-002 | INFRARED LED |
| SE5470-003 | INFRARED LED |
| SEC4901C | SINGLE COLOR LED, ORANGE, 2 mm |
| SEC4801C | SINGLE COLOR LED, AMBER, 2 mm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SE5450-014 | 功能描述:紅外發(fā)射源 GaAs Infrared Emitting Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| SE5455 | 制造商:HONEYWELL 制造商全稱:Honeywell Solid State Electronics Center 功能描述:GaAs Infrared Emitting Diode |
| SE5455-001 | 功能描述:紅外發(fā)射源 GaAs Infrared Emitting Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| SE5455-002 | 功能描述:紅外發(fā)射源 GaAs Emitting Diode TO-46 Metal Can Pkg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| SE5455-003 | 功能描述:紅外發(fā)射源 GaAs Emitting Diode TO-46 Metal Can Pkg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
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