參數(shù)資料
型號(hào): SEMD6
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Preliminary data
中文描述: npn型/進(jìn)步黨硅數(shù)字晶體管陣列的初步數(shù)據(jù)
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 156K
代理商: SEMD6
SEMD6
Feb-26-2004
3
NPN Type
DC Current Gain
h
FE
=
f (I
C
)
V
CE
= 5V (common emitter configuration)
10
-1
10
0
10
1
10
2
mA
I
C
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-
h
F
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CEsat
=
f
(
I
C
),
h
FE
= 20
0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
V
CEsat
-1
10
0
10
1
10
2
10
mA
I
C
Input on Voltage
V
i(on)
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 0.3V (common emitter configuration)
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
i(on)
-1
10
0
10
1
10
2
10
mA
I
E
Input off voltage
V
i(off)
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V (common emitter configuration)
0
1
2
3
V
5
V
i(off)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
mA
I
E
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